Fragen zu VLSI-, VHDL- und Verilog-Interviews
1. Geben Sie die volle Laufzeit von VHDL an.
- Sehr hochauflösende Sprache
- Hardwarebeschreibungssprache für die Hochgeschwindigkeitsintegration
- Sehr hohe Beschreibungssprache
- Beschreibungssprache für Hardware mit sehr hoher Geschwindigkeit
Ans: 2) Hardwarebeschreibungssprache für die Integration mit sehr hoher Geschwindigkeit
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2. Wie viele Metalloxid-Filed-Effect-Transistoren werden benötigt, um ein bi-komplementäres Metalloxid-Halbleiter-NOR-Gatter mit zwei Eingängen zu konstruieren?
- 5 MOSFETs
- 6 MOSFETs
- 7 MOSFETs
- 8 MOSFETs
Ans: 3) 7 MOSFETs
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3. Was bewirkt 'Verzögerung', wenn die Versorgungsspannung erhöht wird?
- Steigert
- Sinkt
- Bleibt das selbe
- Verzögerung hat nichts mit Stromversorgung zu tun.
Ans: 2) Verringert sich
4. Was ist wahr am VLSI-Design?
- VLSI ist ein sequentieller Prozess mit Rückkopplungsschleifen.
- VLSI ist ein paralleler Prozess ohne Rückkopplungsschleifen.
- VLSI ist sowohl ein sequentieller als auch ein paralleler Prozess mit Rückkopplungsschleifen.
- VLSI ist ein sequentieller Prozess ohne Rückkopplungsschleifen.
Ans: 3) VLSI ist sowohl ein sequentieller als auch ein paralleler Prozess mit Rückkopplungsschleifen.
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5. Wozu dienen CAD-Tools im VLSI-Design?
- Es automatisiert das VLSI-Design.
- Es reduziert die Entwurfszykluszeit.
- Es reduziert die Wahrscheinlichkeit von Fehlern.
- Alles das oben Genannte.
Ans: 4) Alle oben genannten.
6. Welche Art von Produkt eignet sich besser für FPGA-basiertes Design?
- Produktentwicklung in großem Maßstab.
- Hochgeschwindigkeitsanwendungen.
- Prototypenentwicklung.
- Anwendungen mit geringem Stromverbrauch.
Ans: 3) Prototypenentwicklung.
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7. Wie ist die Beziehung zwischen Verbindungsverzögerung und Gate-Verzögerung?
- Die Beziehung ist technologieabhängig.
- Gate-Verzögerung immer mehr als Verbindungsverzögerung.
- Verbindungsverzögerung immer größer als die Gate-Verzögerung.
- Sie sind gleich.
Ans: 1) Die Beziehung ist technologieabhängig.
8. Geben Sie True oder False an
Aussage: Bei einem Y-Diagramm nehmen die Details der Entwurfsinformationen zu, wenn sie von der Mitte zur Peripherie verschoben werden.
- Wahre
- falsch
Ans: (2). Falsch
9. Warum wird ein Kurzkanalgerät bevorzugt?
- Es ist einfacher für die Herstellung.
- Es hat einen geringeren Stromverbrauch.
- Es hat hohe Geschwindigkeit.
- Es hat bessere Ausgabeeigenschaften.
Ans: 3) Es hat hohe Geschwindigkeit.
10. Wo findet die Unterschwellenoperation des MOSFET Anwendungen?
- Erinnerungen.
- Ladegekoppelte Geräte.
- Biomedizinische Anwendungen.
- Nichts des oben Genannten.
Ans: 3) Biomedizinische Anwendungen.
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11. Wie ist die Beziehung zwischen dem Einschaltwiderstand des MOSFET und der Gate-Source-Spannung (Vgs)?
- Der Einschaltwiderstand steigt linear mit Vgs an.
- Der Einschaltwiderstand nimmt linear mit Vgs ab.
- Der Einschaltwiderstand steigt exponentiell mit Vgs an.
- Der Einschaltwiderstand nimmt nicht linear mit Vgs ab.
Ans: 4) Der Einschaltwiderstand nimmt nicht linear mit Vgs ab.
12. Was ist die Schwellenspannung eines EMOSFET?
- Gleich 0 V.
- Weniger als 0 V.
- Größer als 0 V.
- Nichts des oben Genannten.
Ans: 3) Größer als 0 V.
13. Finde die ungerade heraus.
- Kanallängenmodulation
- Unterschwellenleitung
- Heißer Trägereffekt.
- Körpereffekt
Ans: 4) Körpereffekt. (Alle anderen Optionen sind 2nd Auftragseffekt).
14. Wie ändert sich die Dotierungsdichte bei konstanter Spannungsskalierung?
- Erhöht sich um den Faktor s
- Erhöht sich um den Faktor s2.
- Verringert sich um einen Faktor für s.
- Verringert sich um einen Faktor für s2.
Ans: 2) Erhöht sich um den Faktor s2.
15. Wie erfolgt die Verlustleistung bei vollständiger Skalierung?
- Erhöht sich um den Faktor s
- Erhöht sich um den Faktor s2.
- Verringert sich um einen Faktor für s.
- Verringert sich um einen Faktor für s2.
Ans: 3) Verringert sich um den Faktor s2.
16. Wie kommt es zur Verlustleistung bei konstanter Spannungsskalierung?
- Erhöht sich um den Faktor s
- Erhöht sich um den Faktor s2.
- Verringert sich um einen Faktor für s.
- Verringert sich um einen Faktor für s2.
Ans: 1) Erhöht sich um den Faktor s.
17. Was ist der Hauptvorteil des NMOSFET-Wechselrichters mit Verarmungslast gegenüber der EMOSFET-Last?
- Weniger Verlustleistung
- Einfacherer Herstellungsprozess
- Schärfere VTC-Übergänge und bessere Rauschmargen.
- Nichts des oben Genannten.
Ans: 3) Schärfere VTC-Übergänge und bessere Rauschmarge.
18. Warum wird Polysilicium für das Gate im MOSFET verwendet?
- Weil es ein Halbmetall ist.
- Weil es Gitter passend zu Silikon hat
- Weil es einfacher zu fertigen ist.
- Nichts des oben Genannten.
Ans: 2) Weil es eine Gitteranpassung mit Silikon hat.
19. Geben Sie True oder False an
Aussage: Bei voller Skalierung ist die Stärke des elektrischen Feldes konstant.
- Wahre
- falsch
Lösung: (1). Wahr
20. Welche der angegebenen Aussagen trifft auf einen MOSFET-Inverter zu?
- Ein PMOSFET und ein Widerstand werden benötigt, um einen MOSFET-Inverter zu implementieren.
- Ein NMOSFET und ein Widerstand werden benötigt, um einen MOSFET-Inverter zu implementieren.
- Zwei PMOSFETs.
- Zwei NMOSFETs.
Ans: 2) Ein NMOSFET und ein Widerstand werden benötigt, um einen MOSFET-Inverter zu implementieren.
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21. Von welchen Faktoren hängt die Verlustleistung eines CMOS-Wechselrichters ab?
- Mitgelieferte Spannung.
- Kanalbreite des NMOSFET.
- Kanalbreite des PMOSFET.
- Alles das oben Genannte.
Ans: 1) Versorgungsspannung
22. Geben Sie True oder False an
Aussage: Die PMOS-Transistoren wirken als Pull-up-Netzwerk in einem CMOS-Inverter.
- Wahre
- falsch
Lösung: (1). Wahr
23. Welcher der folgenden Effekte trägt nicht dazu bei, von der idealen Situation einer Stromspiegelschaltung abzuweichen?
- DIBL-Effekte.
- Schwellenwertversatz zwischen zwei Transistoren
- Kanallängenmodulation
- Unvollständige geometrische Übereinstimmung.
Ans: 1) DIBL-Effekte.
24. Was enthält die ASIC-Zellbibliothek?
- Das physische Layout der Zellen
- Routing-Modell der Zellen
- Timing-Modell der Zellen
- Alles das oben Genannte.
Ans: 1) Physikalisches Layout der Zellen.
25. Warum tritt die niedrigste Ausbreitungsverzögerung durch ein Gate auf?
- Aufgrund - starker Transistor, hohe Temperatur, hohe Spannung.
- Wegen – stark Transistor, niedrige Temperatur, Hochspannung.
- Aufgrund - Schwacher Transistor, hohe Temperatur, hohe Spannung.
- Aufgrund - schwacher Transistor, niedrige Temperatur, niedrige Spannung.
Ans: 3) Aufgrund - schwacher Transistor, hohe Temperatur, hohe Spannung.
26. Welche der folgenden Aussagen trifft auf das VLSI-Logikdesign zu?
- VLSI minimiert den Bereich und die Verzögerung
- VLSI minimiert den Bereich auf Kosten der Verzögerung
- VLSI maximiert die Geschwindigkeit durch Verringern der Fläche
- VLSI minimiert die Verzögerung durch Reduzierung der Fläche
Ans: 2) VLSI minimiert den Bereich auf Kosten der Verzögerung.
27. Was ist ein hartes Makro?
- Flexibler Block
- Fixed Block
- Flexibler Block mit festem Seitenverhältnis
- Flexibler Block mit flexiblem Seitenverhältnis
Ans: 2) Fester Block
28. Geben Sie True oder False an
Aussage: Die vollständige Form von SPICE ist - Simulationsprogramm mit Schwerpunkt auf integrierten Schaltkreisen.
- Wahre
- falsch
Lösung: (1). Wahr
29. Was ist das Ersatzschaltbild für den CMOS-Komparator?
- Nicht kompensierter CMOS OPAMP.
- Kompensierter CMOS OPAMP.
- Teilkompensierter CMOS-OPAMP.
- Keines der oben genannten ist wahr.
Ans: 1) Nicht kompensierter CMOS OPAMP.
30. Wie ist das Verhältnis zwischen dem Ersatzwiderstand eines geschalteten Kondensators und der Taktfrequenz?
- Der Widerstand ist proportional zur Taktfrequenz.
- Der Widerstand ist umgekehrt proportional zur Taktfrequenz.
- Der Widerstand ist proportional zum Quadrat der Taktfrequenz.
- Der Widerstand ist umgekehrt proportional zum Quadrat der Taktfrequenz.
Ans: 2) Der Widerstand ist umgekehrt proportional zur Taktfrequenz.
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31. Wie ist das Verhältnis zwischen dem Ersatzwiderstand eines geschalteten Kondensators und der Kapazität?
- Der Widerstand ist proportional zur Kapazität.
- Der Widerstand ist umgekehrt proportional zur Kapazität.
- Der Widerstand ist proportional zum Quadrat der Kapazität.
- Der Widerstand ist umgekehrt proportional zum Quadrat der Kapazität.
Ans: 2) Der Widerstand ist umgekehrt proportional zur Kapazität.
32. Was ist die Voraussetzung für die Dominanz durch Diffusionsstrom?
- Starke Inversion
- Schwache Inversion
- Sowohl starke als auch schwache Inversion.
- Nicht ermittelbar.
Ans: 2) Schwache Inversion.
33. Was ist die Voraussetzung für die Beherrschung durch Drift Current?
- Starke Inversion
- Schwache Inversion
- Sowohl starke als auch schwache Inversion.
- Nicht ermittelbar.
Ans: 1) Starke Inversion.
34. Geben Sie True oder False an
Aussage: Im Kaskodenstromspiegel wird der Ausgangswiderstand erhöht.
- Wahre
- falsch
Lösung: (1). Wahr
35. Geben Sie True oder False an
Aussage: Eine Stromspiegelschaltung kann als Stromverstärker verwendet werden, indem die (W / L) -Verhältnisse des gespiegelten und des Quellen-MOSFET erhöht werden
- Wahre
- falsch
Lösung: (1). Wahr
36. Welche Verbindungen von NMOS in PDN helfen, die UND-Terme zu realisieren?
- Kaskadenverbindung
- Antiparallele Verbindungen
- Serienanschlüsse
- Parallele Verbindungen
Ans: 3) Reihenschaltungen
37. Welcher Transistortyp kann den logisch hohen Wert perfekt passieren, aber nicht den logisch niedrigen Wert?
- NMOSFET
- PMOSFET
- CMOS
- Nichts des oben Genannten
Ans: 2) PMOSFET
38. Wie viele Transistoren sind mindestens erforderlich, um ein XOR-Gatter zu entwerfen?
- Drei
- Vier
- Fünf
- Sechs
Ans: 4) Sechs
39. Welche Art von Logikdesign bietet die minimale Laufzeitverzögerung?
- Emitter gekoppelte Logik
- Transistor Transistor Logik
- Transistorlogik registrieren
- Diodentransistorlogik
Ans: 1) Emittergekoppelte Logik
40. Geben Sie True oder False an
Aussage: Die dynamische CMOS-Logik arbeitet mit zwei nicht überlappenden Taktimpulsen.
- Wahre
- falsch
Lösung: (2). Falsch.
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Hallo, ich bin Sudipta Roy. Ich habe einen B. Tech in Elektronik gemacht. Ich bin ein Elektronik-Enthusiast und widme mich derzeit dem Bereich Elektronik und Kommunikation. Ich habe großes Interesse an der Erforschung moderner Technologien wie KI und maschinellem Lernen. Mein Ziel ist es, allen Lernenden genaue und aktuelle Daten zur Verfügung zu stellen. Es macht mir große Freude, jemandem beim Wissenserwerb zu helfen.
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